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SOI（Silicon on Insulator）晶圓是於氧化膜上 成形矽單結(jié)晶層為構(gòu)造的晶圓。於高速LSI、低耗電LSI、Power Device、 MEMS等領(lǐng)域被廣泛的使用。

本公司除了一般的SOI以外也可提供Cavity SOI晶圓、 Thick-BOX? SOI晶圓等特殊晶圓。

Cavity SOI晶圓對MEMS Device製造的工時與良率等有非常大的幫助，可大幅減少成本。並且Thick-BOX? SOI晶圓經(jīng)本公司獨有的超厚膜熱氧化膜加工技術(shù)，可讓SOI晶圓擁有前所未有的Box層厚度，可提早實現(xiàn)矽光(Silicon Photonics)與超高耐壓的半導體power device。