中科院微電子所在極紫外光刻基板缺陷補償方面取得新進展
發(fā)布時間：2021-09-18 09:44
近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心在極紫外光刻基板缺陷補償方面取得進展。
與采用波長193nm的深紫外（DUV）光刻使用的掩模不同，極紫外（EUV）光刻的掩模采用反射式設計，其結構由大約40層Mo和Si組成的多層膜構成。在浸沒式光刻技術的技術節(jié)點上，基板制造和掩模制造已足夠成熟，掩模缺陷的密度和尺寸都在可接受的水平。但是在EUV光刻系統(tǒng)中，由于反射率及掩模陰影效應的限制，掩?；迦毕菔怯绊懝饪坛上褓|量、進而導致良率損失的重要因素之一。
基于以上問題，微電子所研究員韋亞一課題組與北京理工大學教授馬旭課題組合作，提出了一種基于遺傳算法的改進型掩模吸收層圖形的優(yōu)化算法。該算法采用基于光刻圖像歸一化對數(shù)斜率和圖形邊緣誤差為基礎的評價函數(shù)，采用自適應編碼和逐次逼近的修正策略，獲得了更高的修正效率和補償精度。算法的有效應性通過對比不同掩?；迦毕莸木匦谓佑|孔修正前后的光刻空間像進行了測試和評估，結果表明，該方法能有效地抑制掩模基板缺陷的影響，提高光刻成像結果的保真度，并且具有較高的收斂效率和掩?？芍圃煨?。
相關成果以Compensation of EUV lithography mask blank defect based on an advanced genetic algorithm為題發(fā)表在《光學快報》（Optics Express）上。此項研究得到國家自然科學基金、國家重點研究開發(fā)計劃、北京市自然科學基金、中科院等項目資助。
（文章來源：微電子研究所）