全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓下線
發(fā)布時間：2024-03-04 10:03
據武漢經信官微消息，近日，全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。此項成果使用8寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓，單片集成光電收發(fā)功能，為目前全球硅基化合物光電集成最先進技術。
據悉，該項成果可實現超低損耗、超高帶寬的高端光芯片規(guī)模制造，為目前全球綜合性能最優(yōu)的光電集成芯片。此項成果由九峰山實驗室聯合重要產業(yè)合作伙伴開發(fā)，將盡快實現產業(yè)商用。
據了解，九峰山實驗室工藝中心基于8寸薄膜鈮酸鋰晶圓，開發(fā)與之匹配的深紫外(DUV) 光刻、微納干法刻蝕及薄膜金屬工藝，成功研發(fā)出首款8寸硅光薄膜鈮酸鋰晶圓，實現低損耗鈮酸鋰波導、高帶寬電光調制器芯片、高帶寬發(fā)射器芯片集成。此項成果為薄膜鈮酸鋰光電芯片的研制與超大規(guī)模光子集成提供了一條極具前景的產業(yè)化技術路線，為高性能光通信應用場景提供工藝解決方案。
（文章來源：SEMI）