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日本KST產(chǎn)品簡介

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丹麥TOPSIL產(chǎn)品簡介

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日本六甲電子產(chǎn)品簡介

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SOI

特殊晶圓

SOI（Silicon on Insulator）晶圓是於氧化膜上 成形矽單結(jié)晶層為構(gòu)造的晶圓

GaN襯底

GaN襯底

硅基GaN，有效地結(jié)合了GaN材料的高性能以及成熟Si晶圓的大尺寸、低成本優(yōu)勢。賽米斯可提供來自日本、臺灣廠家的硅基GaN各類硅襯底材料，滿足完整的晶體、精確的<111>晶向、匹配MOCVD外延的彎曲工藝、優(yōu)異的邊緣條件及特殊精確的化學(xué)摻雜濃度控制。

鈮酸鋰、鉭酸鋰材料

鈮酸鋰、鉭酸鋰多功能晶體材料

鈮酸鋰、鉭酸鋰是典型的多功能晶體材料，廣泛應(yīng)用于聲表面波濾波器、電光開關(guān)、熱釋電探測器等方面。

超平硅片（超薄、超厚）

超平硅片（超薄、超厚）

日本STJ可提供小直徑、高平坦度的單晶硅襯底，4、6寸硅襯底TTV小于1um，同時STJ還可根據(jù)客戶要求提供更好的平整度，有利于鍵合、沉積等對于平整度要求較高的工藝，目前廣泛應(yīng)用于SOI、LT、TC-SAW等材料的襯底。