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2016-2021-06-28
科學(xué)家創(chuàng)造出500公里量級現(xiàn)場無中繼光纖量子密鑰分發(fā)新紀(jì)錄
近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、濟南量子技術(shù)研究院和中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，基于“濟青干線”現(xiàn)場光纜，解決了現(xiàn)場遠距離高性能單光子干涉技術(shù)難題，分別采用激光注入鎖定實現(xiàn)了428公里雙場量子密鑰分發(fā)（TF-QKD），同時利用時頻傳遞技術(shù)實現(xiàn)了511公里TF-QKD，是目前現(xiàn)場無中繼光纖QKD最遠的傳輸距離。...
2016-2021-06-25
中科院微電子所在低功耗集成電路設(shè)計領(lǐng)域取得新進展
近期，微電子所感知中心低功耗智能技術(shù)與系統(tǒng)團隊在低功耗集成電路設(shè)計領(lǐng)域取得新進展，設(shè)計了兼容近/亞閾值工作區(qū)的基礎(chǔ)電路單元，可以廣泛應(yīng)用于低功耗智能計算芯片。...
2016-2021-06-23
半導(dǎo)體材料硫化鉑光電特性研究獲新突破
記者6月20日從云南大學(xué)材料與能源學(xué)院獲悉，該學(xué)院楊鵬、萬艷芬團隊經(jīng)過持續(xù)研發(fā)，解決了類石墨烯材料大面積均勻少層硫化鉑的合成及其結(jié)構(gòu)和物理性能的一系列問題，為更豐富的應(yīng)用場景器件開發(fā)提供支持，同時給行將終結(jié)的摩爾定律注入新的希望，提供極具潛力的半導(dǎo)體材料。...
2016-2021-06-23
SEMI報告：新的半導(dǎo)體晶圓廠將促進設(shè)備支出激增
SEMI季度《世界晶圓廠預(yù)測報告》World Fab Forecast強調(diào)，全球半導(dǎo)體制造商將在今年年底前開始建設(shè)19座新的高產(chǎn)能晶圓廠，并在2022年再開工建設(shè)10座，以滿足市場對芯片的加速需求，包括通信、計算、醫(yī)療保健、在線服務(wù)和汽車。...
2016-2021-06-17
日媒：日企在全球首次量產(chǎn)100毫米氧化鎵晶圓，年內(nèi)開始供應(yīng)
在新一代半導(dǎo)體材料中，日本公司又一次走在前列——日前Novel Crystal Technology全球首次量產(chǎn)了100mm（4英寸）的“氧化鎵”晶圓。...
2016-2021-06-15
上海光機所計算光刻技術(shù)研究取得進展
近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所信息光學(xué)與光電技術(shù)實驗室提出了一種基于虛擬邊（Virtual Edge）與雙采樣率像素化掩模圖形（Mask pixelation with two-phase sampling）的快速光學(xué)鄰近效應(yīng)修正技術(shù)（Optical proximity correction, OPC）。仿真結(jié)果表明該技術(shù)具有較高的修正效率。相關(guān)研究成果已發(fā)表在《Optics Express》(29(11), 17440-17463, 2021)。...
2016-2021-06-11
10000V！氮化鎵功率器件擊穿電壓新紀(jì)錄
近日，美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子技術(shù)中心（CPES）和蘇州晶湛半導(dǎo)體團隊合作攻關(guān)，通過采用蘇州晶湛新型多溝道AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延片，以及運用pGaN降低表面場技術(shù)（p- GaN reduced surface field (RESURF)制備的肖特基勢壘二極管(SBD)，成功實現(xiàn)了超過10kV的超高擊穿電壓。...
2016-2021-06-10
SEMI居龍：全球缺芯——半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局加速重整
2021世界半導(dǎo)體大會6月9日拉開帷幕，SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍發(fā)表了《全球缺芯——半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局加速重整》主題演講，從全球缺芯話題談起，以詳實的數(shù)據(jù)深入剖析了目前國際、國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來的發(fā)展大勢。...